2023.04.25 トピックス 【報告】UTokyo-IIS Research Collaboration Initiative Award 2022授賞式を開催(開催日:2023/3/20) 3月20日(月)、2022年度のUTokyo-IIS Research Collaboration Initiative Awardの授賞式が、#東大生研 所長室にて執り行われました。
2021.03.10 トピックス 小林 正治 准教授の研究グループが第1回IEEE EDS Leo Esaki Awardを受賞 #東大生研 の小林 正治 准教授、大学院学生 多川 友作 君、莫 非 特任研究員、更屋 拓哉 助手、平本 俊郎 教授が第1回IEEE EDSLeo Esaki Awardを受賞しました。電子デバイス分野で著名なIEEE Journal of Electron Devices Societyに掲載された年間最優秀論文に対して授与される賞です。小林准教授のグループが栄えある第1回の受賞となりました。
2020.12.06 プレスリリース 【記者発表】両面ゲートIGBTにて62%のスイッチング損失低減に成功 シリコンIGBTはパワートランジスタの一種で、家電製品や自動車、鉄道、産業機器等に広く用いられています。#東大生研 の更屋 拓哉 助手、平本 俊郎 教授らの研究グループは、シリコンIGBTの表裏両面にMOSゲートを設ける「両面ゲートIGBT」を作製し、6割を超えるスイッチング損失の低減を実証することに成功しました。パワーエレクトロニクスの効率改善、ひいては増大を続ける電力需要の抑制に貢献することが期待されます。
2019.05.28 プレスリリース 【記者会見】3300V級シリコンIGBTで5Vゲート駆動のスイッチングに世界で初めて成功 更屋 拓哉 助手および平本 俊郎 教授を中心とする研究グループは、3300V級の耐圧を有するシリコン絶縁ゲートバイポーラトランジスタのスイッチングを、5Vという低電圧のゲート駆動で初めて実証することに成功しました。