シリコンIGBTはパワートランジスタの一種で、家電製品や自動車、鉄道、産業機器等に広く用いられています。#東大生研 の更屋 拓哉 助手、平本 俊郎 教授らの研究グループは、シリコンIGBTの表裏両面にMOSゲートを設ける「両面ゲートIGBT」を作製し、６割を超えるスイッチング損失の低減を実証することに成功しました。パワーエレクトロニクスの効率改善、ひいては増大を続ける電力需要の抑制に貢献することが期待されます。