【記者発表】次世代パワーエレクトロニクス材料AlGaNの安価・高品質な製造手法を開発
#東大生研 の藤岡 洋 教授はスパッタリング法と呼ばれる手法を用い、次世代パワーエレクトロニクス用半導体材料として期待されている、AlGaNの高品質な半導体結晶を安価に合成する新手法を開発しました。また、縮退GaNと呼ばれる電極結晶を用いてAlGaNトランジスタを試作し、オン抵抗(トランジスタが導通したときの抵抗)の低減に成功しました。高性能なパワーエレクトロニクス素子を安価な手法で作製でき、電力変換素子や6Gなど次世代無線通信用素子としての利用が期待できます。